FDMS7672AS
Fairchild Semiconductor
Deutsch
Artikelnummer: | FDMS7672AS |
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Hersteller / Marke: | Fairchild (onsemi) |
Teil der Beschreibung.: | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1 |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | 8-PQFN (5x6) |
Serie | PowerTrench®, SyncFET™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4mOhm @ 18A, 10V |
Verlustleistung (max) | 2.5W (Ta), 46W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | 8-PowerTDFN |
Paket | Bulk |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2820 pF @ 15 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 46 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 19A (Ta), 42A (Tc) |
FDMS7672AS Einzelheiten PDF [English] | FDMS7672AS PDF - EN.pdf |
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POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
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FAI QFN
FDMS7672AS FDMS7672 FAIRCHILD/
2024/06/27
2024/05/17
2024/01/30
2024/12/26
FDMS7672ASFairchild Semiconductor |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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